тип: DDR3, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: SODIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11
Коротко о товаре
-
Общие характеристики
-
-
Количество модулей в комплекте
- 1
-
Объем одного модуля
- 4 Гб
-
Тип памяти
- DDR3
-
Тактовая частота
- 1600 МГц
-
Пропускная способность
- 12800 Мб/с
-
CAS Latency (CL)
- 11
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
- 11
-
Row Precharge Delay (tRP)
- 11
-
Напряжение питания
- 1.5 В
-
Форм-фактор
- SODIMM
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
- 27
-
Дополнительная информация
- Количество контактов 204